Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

113,52 kr

(exkl. moms)

141,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +5,676 kr113,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1314
Tillv. art.nr:
SISS23DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar