Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

135,97 kr

(exkl. moms)

169,962 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4867,985 kr135,97 kr
50 - 9861,095 kr122,19 kr
100 - 24849,95 kr99,90 kr
250 - 99849,00 kr98,00 kr
1000 +37,69 kr75,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8309
Tillv. art.nr:
SIHK105N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

142W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and telecom power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

relaterade länkar