Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

111,78 kr

(exkl. moms)

139,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 996 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4855,89 kr111,78 kr
50 - 9850,29 kr100,58 kr
100 - 24841,215 kr82,43 kr
250 +40,375 kr80,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8313
Tillv. art.nr:
SIHK125N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.125Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

relaterade länkar