Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

64,06 kr

(exkl. moms)

80,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 31 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4964,06 kr
50 - 9962,94 kr
100 - 24961,60 kr
250 - 99960,26 kr
1000 +59,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9918
Tillv. art.nr:
SIHK155N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar