Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0594
- Tillv. art.nr:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
57 808,00 kr
(exkl. moms)
72 260,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 28,904 kr | 57 808,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0594
- Tillv. art.nr:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon technologies. The latest CoolMOS CFD7 is the successor to the CoolMOS CFD2 series and is an optimized platform tailored to target soft switching applications such as phase shift full-bridge (ZVS) and LLC resulting from reduced gate charge(Qg), best-in-class reverse recovery charge (Qrr) and improved turn off behaviour CoolMOS CFD7 offers highest efficiency in resonant topologies.
Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages
Excellent hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use / performance trade-off
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 400 A 40 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 190 A 150 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 143 A 150 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 122 A 150 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 174 A 150 V Förbättring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 8 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 400 A 40 V HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 313 A 60 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT