Infineon N Kanal, MOSFET, 190 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

54 158,00 kr

(exkl. moms)

67 698,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +27,079 kr54 158,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
249-3348
Tillv. art.nr:
IPT039N15N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

IPT

Kapseltyp

HSOF-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon Optimos 5 effektmosfet är en N-kanalmosfet som erbjuder mycket låg påslagningsresistans och överlägsen termisk resistans. Denna enhet är Pb (bly) och halogenfri. Den levereras i en PG-HSOF-8-kapsel för ytmontering.

Drain-till-källspänning (Vdss) är 150 V

Kontinuerlig dräneringsström är (Id) vid 25 °C är 21 A (Ta), 190 A (Tc)

Driftspänningar (max. Rds på, min. Rds på) är 8 V och 10 V

Drifttemperaturen är från -55 °C till 175 °C (TJ)

Relaterade länkar