Infineon N Kanal, MOSFET, 313 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 273-5352
- Tillv. art.nr:
- IPT012N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
52,53 kr
(exkl. moms)
65,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 52,53 kr |
| 50 - 99 | 43,79 kr |
| 100 - 249 | 40,43 kr |
| 250 - 999 | 37,52 kr |
| 1000 + | 36,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5352
- Tillv. art.nr:
- IPT012N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 313A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 313A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET är optimerad för högströmstillämpningar som gaffeltruckar, lätta elfordon, POL och telekom. Detta paket är en perfekt lösning för tillämpningar med hög effekt där hög effektivitet, utmärkt EMI-beteende samt bästa termiska beteende och utrymmesreducering krävs. Den är kvalificerad enligt JEDEC1 för måltillämpningar.
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Överlägsen värmebeständighet
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 313 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT