Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

50,13 kr

(exkl. moms)

62,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 24 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 950,13 kr
10 - 2447,62 kr
25 - 4946,57 kr
50 - 9943,66 kr
100 +40,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-3354
Tillv. art.nr:
IPT054N15N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

143A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

HSOF-8

Serie

IPT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon Optimos 5 power mosfet is N-Channel mosfet offers very low on-resistance and superior thermal resistance. This device is Pb (Lead) and halogen free. It comes in a surface mount, PG-HSOF-8 package.

Vds (drain to source voltage) is 150 V

Rds (max on) is 5.4 milliohm and Id is 143 A

Qdss and Qg values are 155 nC and 55 nC respectively

Relaterade länkar