Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

55,36 kr

(exkl. moms)

69,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
1 +55,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-3351
Tillv. art.nr:
IPT044N15N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

174A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

IPT

Kapseltyp

HSOF-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon Optimos 5 power mosfet is N-Channel mosfet offers very low on-resistance and superior thermal resistance. This device is Pb (Lead) and halogen free. It comes in a surface mount, PG-HSOF-8 package.

Vds (drain to source voltage) is 150 V

Rds (max on) is 4.4 milliohm and Id is 174 A

Qdss and Qg values are 188 nC and 67 nC respectively

Relaterade länkar