Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-3351
- Tillv. art.nr:
- IPT044N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
55,36 kr
(exkl. moms)
69,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 554 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 55,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-3351
- Tillv. art.nr:
- IPT044N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 174A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 174A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon Optimos 5 effektmosfet är en N-kanalmosfet som erbjuder mycket låg påslagningsresistans och överlägsen termisk resistans. Denna enhet är Pb (bly) och halogenfri. Den levereras i en PG-HSOF-8-kapsel för ytmontering.
Vds (drain-till-källspänning) är 150 V
Rds (max på) är 4,4 milliohm och Id är 174 A
Qdss- och Qg-värden är 188 nC respektive 67 nC
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT