Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0595
- Tillv. art.nr:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
72,02 kr
(exkl. moms)
90,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 72,02 kr |
| 10 - 24 | 68,66 kr |
| 25 - 49 | 65,74 kr |
| 50 - 99 | 62,61 kr |
| 100 + | 58,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0595
- Tillv. art.nr:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspännings-Effekt-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon-teknik. Den senaste CoolMOS CFD7 är efterföljaren till CoolMOS CFD2-serien och är en optimerad plattform som är skräddarsydd för mjuka omkopplingstillämpningar som fasförändring med full brygga (ZVS) och LLC som resulterar i minskad grindladdning (Qg), klassens bästa omvända återställningsladdning (Qrr) och förbättrat avstängningsbeteende CoolMOS CFD7 erbjuder högsta effektivitet i resonanta topologier.
Klassens bästa RDS(on) i SMD- och THD-kapslar
Utmärkt robusthet vid hård kommutering
Högsta tillförlitlighet för resonanstopologier
Högsta effektivitet med enastående användarvänlighet/kompromiss mellan prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT