Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, ISS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

22,185 kr

(exkl. moms)

27,735 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 8 340 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 1351,479 kr22,19 kr
150 - 3601,404 kr21,06 kr
375 - 7350,889 kr13,34 kr
750 - 14850,747 kr11,21 kr
1500 +0,672 kr10,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-2278
Tillv. art.nr:
ISS55EP06LMXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.18A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

ISS

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel Power MOSFET has a design flexibility and ease of handling to meet the highest performance requirements which include the -12V range of products that are ideally suited for battery protection, reverse polarity protection, linear battery chargers, load switched, DC-DC converters, and low voltage drive applications.

P-Channel

Low On-resistance RDS(on)

100% Avalanche tested

Logic level or normal level

Enhancement mode

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar