Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.15 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0558
- Tillv. art.nr:
- BSS315PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
31,70 kr
(exkl. moms)
39,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 7 740 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,17 kr | 31,70 kr |
| 100 - 240 | 3,013 kr | 30,13 kr |
| 250 - 490 | 2,061 kr | 20,61 kr |
| 500 - 990 | 1,904 kr | 19,04 kr |
| 1000 + | 1,422 kr | 14,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0558
- Tillv. art.nr:
- BSS315PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon tillverkar P-kanaltransistor med förstärkningsläge som används i stor utsträckning i tillämpningar med hög omkoppling. Den är lavinklassad och halogenfri. OptiMOS P 2 småsignaltransistor. Logiknivå 4,5 V-klassad, avalanche-klassad.
Logiknivå är klassad för 4,5 V
100 % blyfri och halogenfri
Maximal effektförlust är 500mW
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.15 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.23 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.54 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.9 A 100 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.1 A 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101