Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, ISS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
244-2277
Distrelec artikelnummer:
304-40-557
Tillv. art.nr:
ISS55EP06LMXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

ISS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons P-kanals effekt-MOSFET har en designflexibilitet och enkel hantering för att uppfylla de högsta prestandakravna som inkluderar -12 V-sortimentet av produkter som är idealiska för batteriskydd, skydd mot omvänd polaritet, linjära batteriladdare, lastväxlade, DC-DC-omvandlare och lågspänningsdrivenhetstillämpningar.

P-kanal

Låg påslagningsresistans RDS(on)

100 % avalanche-testad

Logisk nivå eller normal nivå

Förbättringsläge

Blyfri plätering; RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.