Vishay E Type N-Channel MOSFET, 9 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA24N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

51,74 kr

(exkl. moms)

64,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 668 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1825,87 kr51,74 kr
20 - 4823,24 kr46,48 kr
50 - 9821,95 kr43,90 kr
100 - 19820,72 kr41,44 kr
200 +19,15 kr38,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2837
Tillv. art.nr:
SIHA24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar