Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP21N80AEF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

205,52 kr

(exkl. moms)

256,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 375 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4541,104 kr205,52 kr
50 - 12037,004 kr185,02 kr
125 - 24534,944 kr174,72 kr
250 - 49530,016 kr150,08 kr
500 +25,916 kr129,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2879
Tillv. art.nr:
SIHP21N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar