Vishay E Type N-Channel MOSFET, 3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA5N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

108,64 kr

(exkl. moms)

135,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 855 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4521,728 kr108,64 kr
50 - 24520,652 kr103,26 kr
250 - 49519,51 kr97,55 kr
500 - 124518,458 kr92,29 kr
1250 +14,09 kr70,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2840
Tillv. art.nr:
SiHA5N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar