Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP6N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

99,46 kr

(exkl. moms)

124,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 860 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,892 kr99,46 kr
50 - 12017,876 kr89,38 kr
125 - 24515,904 kr79,52 kr
250 - 49514,94 kr74,70 kr
500 +13,888 kr69,44 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2881
Tillv. art.nr:
SiHP6N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar