Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 421,95 kr

(exkl. moms)

1 777,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5028,439 kr1 421,95 kr
100 - 20023,89 kr1 194,50 kr
250 +22,752 kr1 137,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2878
Tillv. art.nr:
SIHP21N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar