Vishay E Type N-Channel MOSFET, 9 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

793,85 kr

(exkl. moms)

992,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 650 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5015,877 kr793,85 kr
100 - 20013,496 kr674,80 kr
250 +12,702 kr635,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2836
Tillv. art.nr:
SIHA24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar