Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

177,41 kr

(exkl. moms)

221,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4017,741 kr177,41 kr
50 - 9016,856 kr168,56 kr
100 - 24016,15 kr161,50 kr
250 - 49015,434 kr154,34 kr
500 +14,37 kr143,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4739
Tillv. art.nr:
IRF6636TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

81A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

DirectFET

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

2

Maximal drain-källresistans Rds

6.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

42W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Höjd

0.68mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

4.85mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Relaterade länkar