Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 130-0948
- Tillv. art.nr:
- IRF6648TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
61,26 kr
(exkl. moms)
76,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 30,63 kr | 61,26 kr |
| 20 - 48 | 26,825 kr | 53,65 kr |
| 50 - 98 | 25,145 kr | 50,29 kr |
| 100 - 198 | 23,41 kr | 46,82 kr |
| 200 + | 21,56 kr | 43,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0948
- Tillv. art.nr:
- IRF6648TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 86A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | MN | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.35mm | |
| Höjd | 0.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 86A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp MN | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.35mm | ||
Höjd 0.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DirectFET® effekt-MOSFET, Infineon
DirectFET®
Industrins lägsta påslagningsresistans i deras respektive fotavtryck
Extremt låg kapslingsresistans för att minimera ledningsförluster
Mycket effektiv dubbelsidig kylning förbättrar effekttätheten, kostnaden och tillförlitligheten avsevärt
Låg profil på endast 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET