Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 4 Ben, VSON, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4683
- Tillv. art.nr:
- IPL60R185C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
139,78 kr
(exkl. moms)
174,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 27,956 kr | 139,78 kr |
| 25 - 45 | 24,326 kr | 121,63 kr |
| 50 - 120 | 22,624 kr | 113,12 kr |
| 125 - 245 | 21,236 kr | 106,18 kr |
| 250 + | 19,578 kr | 97,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4683
- Tillv. art.nr:
- IPL60R185C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 185mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp VSON | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 185mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 15 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 97 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 151 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 19.2 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 22.4 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
