Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 214-9070
- Tillv. art.nr:
- IPL60R104C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
327,49 kr
(exkl. moms)
409,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 965 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 65,498 kr | 327,49 kr |
| 10 - 20 | 58,98 kr | 294,90 kr |
| 25 - 45 | 55,06 kr | 275,30 kr |
| 50 - 120 | 51,766 kr | 258,83 kr |
| 125 + | 47,824 kr | 239,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9070
- Tillv. art.nr:
- IPL60R104C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 104mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 122W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 104mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 122W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Bredd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 är en revolutionerande teknik för högspänningseffekt-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V CoolMOS C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i toppklass. Dessa är lämpliga för hårda och mjuka omkopplingsfunktioner. Den levereras med lösningar för ökad effekttäthet på grund av mindre kapslingar. Det innehåller optimerade lösningar för kretskortsmontering och layout.
Lämplig för hård och mjuk omkoppling
SMD-paket med mycket låg parasitisk induktivitet för enkel enhetsstyrning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7