Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 4 Ben, VSON, CoolMOS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

30 513,00 kr

(exkl. moms)

38 142,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +10,171 kr30 513,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4682
Tillv. art.nr:
IPL60R185C7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

VSON

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

185mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

77W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

8.1mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.