Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 214-9079
- Tillv. art.nr:
- IPL65R130C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
150,53 kr
(exkl. moms)
188,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 30,106 kr | 150,53 kr |
| 10 - 20 | 26,79 kr | 133,95 kr |
| 25 - 45 | 24,998 kr | 124,99 kr |
| 50 - 120 | 23,162 kr | 115,81 kr |
| 125 + | 21,37 kr | 106,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9079
- Tillv. art.nr:
- IPL65R130C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 102W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.1 mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 102W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.1 mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 15 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 10 A 700 V Förbättring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 97 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 151 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 100 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
