Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7366
- Tillv. art.nr:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
73,92 kr
(exkl. moms)
92,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 36,96 kr | 73,92 kr |
| 20 - 48 | 30,97 kr | 61,94 kr |
| 50 - 98 | 29,175 kr | 58,35 kr |
| 100 - 198 | 26,935 kr | 53,87 kr |
| 200 + | 25,145 kr | 50,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7366
- Tillv. art.nr:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 75V-100V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in various packages a RDS(on) range from 1.2mΩ up to 190mΩ by reducing CO2 emissions of passenger cars is accelerating the 48V board net adoption and therefore the 48V like starter generators (main inverter), battery main switches, DCDC converter as well as 48V auxiliaries. For this emerging market, Infineon is offering a broad portfolio of Automotive 80V and 100V MOSFETs, that are housed in different package types like TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) and S308 (TSDSON-8), in order to provide solutions for different power requirements as well as different cooling concepts on electronic control unit (ECU) level. Next to the 48V applications the 80V and 100V MOSFETs are also used for example in LED lighting, fuel injection as well as in-vehicle wireless charging.
N-channel - Enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 200 A 80 V Förbättring PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 60 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 290 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 331 A 120 V Förbättring PG-HSOF-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 314 A 120 V Förbättring PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 510 A 60 V Förbättring PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 240 A 80 V Förbättring HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 260 A 100 V Förbättring HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
