Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 218-2989
Tillv. art.nr:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

39 514,00 kr

(exkl. moms)

49 392,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 10 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	19,757 kr	39 514,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-2989
Tillv. art.nr:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	260A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	HSOF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	300W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp HSOF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 300W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 100 V drain-källspänning, 260 A kontinuerlig drain-ström – IAUT260N10S5N019ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde som lämpar sig för tuffa förhållanden och är konstruerad för tillämpningar som kräver betydande hantering av dräneringsström, tätt påslagningsmotstånd och robust gate-spänningstolerans.

Funktioner och fördelar:

• 1.9 mΩ Rds(on) ger minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 260 A möjliggör hantering av hög ström
• 100 V drain-source-klassning stöder medelspänningssystem
• ±20 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar
• 300 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastning
• 1.3 V framspänning minimerar diodledningsförluster

Användningsområden

• Lämplig för fordonsdrivkretsar och motordrivkretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlingsstegen med hög strömstyrka
• Används med batterihantering och energilagringssystem
• Kan användas för strömfördelning i elektrifierade fordon
• Lämplig för ytmonterade enheter som kräver kompakta effekt-MOSFET-transistorer

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är specifik för kontinuerlig användning från -55 °C till +175 °C.

Vilken förpacknings- och monteringsstil finns för kompakta monteringar?

Den levereras i en HSOF-kapsel avsedd för ytmontering med åtta stift.

Hur stöder enheten fordonskvalificeringsbehov?

Den uppfyller fordonskrav enligt AEC-Q101 för komponenter som används i fordonsmiljöer.

Vilken kanaltyp och vilket läge bestämmer omkopplingsbeteendet?

Den använder en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge för kontrollerad ledning.

Vilka elektriska gränsvärden bör iakttas för grind- och avtappningsspänningar?

Gate-source-spänningen måste ligga inom ±20 V och drain-source-spänningen inom 100 V.