Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

Infineon erbjuder ett brett utbud av 75 V–100 V N-kanalkvalificerade effekt-MOSFET för bil med den nya OptiMOS-tekniken i olika paket med ett RDS(on)-område från 1,2 mΩ upp till 190 mΩ genom att minska CO2-utsläppen från personbilar accelererar 48 V kortnettagningen och därför 48 V som startgeneratorer (huvudomvandlare), batterihuvudomkopplare, DCDC-omvandlare samt 48 V-hjälpdon. För denna framväxande marknad erbjuder Infineon ett brett sortiment av 80 V- och 100 V-MOSFET:er för fordon, som är inrymda i olika kapslingstyper som TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) och S308 (TSDSON-8), för att tillhandahålla lösningar för olika strömkrav samt olika kylkoncept på elektronisk styrenhetsnivå (ECU). Förutom 48 V-tillämpningar används 80 V- och 100 V-MOSFET:erna också till exempel i LED-belysning, bränsleinjektion samt trådlös laddning i fordon.

N-kanal – Förbättringsläge