Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-688
- Tillv. art.nr:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
69 082,00 kr
(exkl. moms)
86 352,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 34,541 kr | 69 082,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-688
- Tillv. art.nr:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 331A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 331A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons MOSFET har en OptiMOS 6-effekttransistor som sätter ett nytt riktmärke för prestanda inom halvledarindustrin. Denna produkt är konstruerad för hög effektivitet och exceptionell värmehantering och utmärker sig i krävande tillämpningar. Med en robust konstruktion som stöder 120 V är den skräddarsydd för högfrekvent omkoppling, vilket ger tillförlitlighet och hastighet utan att kompromissa med energieffektiviteten. N-kanalens MOSFET har ett mycket lågt motstånd och minimal grindladdning, vilket gör den till en idealisk lösning för effektkonvertering och styrning i industriella miljöer. Dess avancerade teknik säkerställer överensstämmelse med RoHS och andra miljöstandarder, vilket gör den till ett både hållbart och prestandadrivet val för modern elektronik.
Optimerad för högfrekvent prestanda
Utmärkt termisk effektivitet för tillförlitlighet
Lågt motstånd vid tändning minskar energiförluster
Snabb grindladdning för snabb drift
Kvalificerad för industriell prestanda
Miljövänlig för hållbarhet
Hanterar hög lavin-energi på ett säkert sätt
Brett arbetstemperaturområde
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 314 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT