Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-276
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N008AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
178,08 kr
(exkl. moms)
222,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 1 980 enhet(er) levereras från den 14 januari 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,616 kr | 178,08 kr | - |
| 50 - 95 | 33,846 kr | 169,23 kr | 4% |
| 100 - 495 | 31,292 kr | 156,46 kr | 12% |
| 500 - 995 | 28,852 kr | 144,26 kr | 18% |
| 1000 + | 27,798 kr | 138,99 kr | 21% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-276
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N008AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 290A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 133W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 290A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 133W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 290 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N008AUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Hur förbättrar nollkorskopplingsfunktionen prestandan?
Vilken betydelse har temperaturområdet för driftsäkerheten?
Vilka terminaltyper används för anslutningar och underhåll?
Vilka åtgärder finns på plats för att säkerställa säkerheten under drift?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 370 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 179 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
