Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-276
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N008AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
178,08 kr
(exkl. moms)
222,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 35,616 kr | 178,08 kr |
| 50 - 95 | 33,846 kr | 169,23 kr |
| 100 - 495 | 31,292 kr | 156,46 kr |
| 500 - 995 | 28,852 kr | 144,26 kr |
| 1000 + | 27,798 kr | 138,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-276
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N008AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 290A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 133W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 290A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 133W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 290 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N008AUMA1
Detta halvledarrelä är en panelmonterad enhet som är utformad för robust prestanda i industriella tillämpningar. Den erbjuder hög belastningskapacitet med en maximal belastningsström på 50 A och kan hantera spänningar från 48 V till 600 V, vilket gör den lämplig för olika driftsbehov. Enheten har en kompakt design med mått på 22,5 mm x 48 mm x 85 mm, vilket säkerställer att den passar sömlöst i olika kontrollpaneler.
Funktioner & fördelar
• Nollkorskopplingsteknik minimerar elektriskt brus
• Tyristorrelä för snabb och effektiv drift
• Utökad drifttemperatur från -25 °C till +60 °C
• Stöder ett styrspänningsområde på 15 till 24 V DC
• Skruvterminaler ger säkra och tillförlitliga anslutningar
• Isolationsspänning på 600 V förbättrar säkerhetsöverensstämmelsen
Användningsområden
• Idealisk för motorstyrning som kräver tillförlitlig omkoppling
• Används i automationssystem för effektiv lasthantering
• Lämpligt för termisk och resistiv belastning
• Kompatibel med lastövervakningslösningar för ökad effektivitet
Hur förbättrar nollkorskopplingsfunktionen prestandan?
Nollkorskopplingsfunktionen gör att reläet kan slå på exakt när spänningen är nära noll, vilket minskar elektriskt brus och förlänger livslängden för anslutna enheter.
Vilken betydelse har temperaturområdet för driftsäkerheten?
Den breda driftstemperaturen
Vilka terminaltyper används för anslutningar och underhåll?
Den använder skruvterminaler för huvudström och extrakretsar, vilket möjliggör säkra anslutningar som kan rymma olika ledarstorlekar.
Vilka åtgärder finns på plats för att säkerställa säkerheten under drift?
Enheten är utrustad med en skyddsklass på IP20, vilket ger beröringsskydd och förhindrar damminträngning, vilket är avgörande för att upprätthålla driftsäkerheten i en industriell miljö.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
