Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

421,00 kr

(exkl. moms)

526,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 975 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2516,84 kr421,00 kr
50 - 7516,536 kr413,40 kr
100 - 22515,156 kr378,90 kr
250 - 97514,869 kr371,73 kr
1000 +13,79 kr344,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9687
Tillv. art.nr:
TSM130NB06CR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

83W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Längd

6.2mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Bredd

5.2 mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar