Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 379,75 kr

(exkl. moms)

1 724,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5027,595 kr1 379,75 kr
100 - 20024,835 kr1 241,75 kr
250 +23,455 kr1 172,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2481
Tillv. art.nr:
IPA65R125C7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

32W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon’s Cool MOS™ C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications

Lowest conduction losses/package

Low switching losses

Better light load efficiency

Increasing power density

Relaterade länkar