Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 897-7591
- Tillv. art.nr:
- IPP65R190C7FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
138,66 kr
(exkl. moms)
173,324 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 34,665 kr | 138,66 kr |
| 40 - 96 | 31,22 kr | 124,88 kr |
| 100 - 196 | 29,455 kr | 117,82 kr |
| 200 - 396 | 27,385 kr | 109,54 kr |
| 400 + | 25,313 kr | 101,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 897-7591
- Tillv. art.nr:
- IPP65R190C7FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 72W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 72W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 49 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C7