Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 214-9001
- Tillv. art.nr:
- IPA65R190C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
996,00 kr
(exkl. moms)
1 245,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 19,92 kr | 996,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9001
- Tillv. art.nr:
- IPA65R190C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. CoolMOS C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. Produktportföljen ger alla fördelar med snabba superkopplings-MOSFET-transistorer med bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Lätt att använda/drivning
Det ger kostnads- / storleksbesparingar på grund av minskade kylkrav
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7