Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 215-2482
- Tillv. art.nr:
- IPA65R125C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
272,05 kr
(exkl. moms)
340,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 54,41 kr | 272,05 kr |
| 10 - 20 | 49,012 kr | 245,06 kr |
| 25 - 45 | 45,718 kr | 228,59 kr |
| 50 - 120 | 42,38 kr | 211,90 kr |
| 125 + | 39,738 kr | 198,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2482
- Tillv. art.nr:
- IPA65R125C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 32W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 32W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Cool MOSTM C7 super junction MOSFET-serie är ett revolutionerande steg framåt inom tekniken, vilket ger världens lägsta RDS(on)/paket och, tack vare sina låga omkopplingsförluster, effektivitetsförbättringar över hela belastningsområdet. Produktportföljen ger alla fördelar med snabba superkopplings-MOSFET-transistorer med bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Förbättrad säkerhetsmarginal och lämplig för både SMPS- och solväxelriktare
Lägsta ledningsförluster/förpackning
Låga omkopplingsförluster
Bättre effektivitet vid lätt belastning
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7