Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 214-9095
- Tillv. art.nr:
- IPP60R180C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
156,80 kr
(exkl. moms)
196,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 370 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 31,36 kr | 156,80 kr |
| 25 - 45 | 23,834 kr | 119,17 kr |
| 50 - 120 | 22,288 kr | 111,44 kr |
| 125 - 245 | 20,676 kr | 103,38 kr |
| 250 + | 19,084 kr | 95,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9095
- Tillv. art.nr:
- IPP60R180C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Bredd | 4.57 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.45mm | ||
Bredd 4.57 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. These are Suitable for hard and soft switching. Suitable for applications such as server, telecom and solar.
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
Suitable for hard and soft switching
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 700 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 8 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 50 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 46 A 700 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
