Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2450
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7648M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
204,88 kr
(exkl. moms)
256,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 40,976 kr | 204,88 kr |
| 25 - 45 | 36,87 kr | 184,35 kr |
| 50 - 120 | 34,384 kr | 171,92 kr |
| 125 - 245 | 31,964 kr | 159,82 kr |
| 250 + | 29,904 kr | 149,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2450
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7648M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET has 60V maximum drain source voltage with 68A maximum continuous drain current in a DirectFET M4 package. The AUIRF7648M2 combines the latest Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET® packaging to achieve low gate charge as well as the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET® package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET® package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.
Advanced Process Technology
Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications
Low Rds(on) for Improved Efficiency
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Lead free, RoHS and Halogen free
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 68 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 375 A 60 V Förbättring DirectFET HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 55 A 80 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 19 A 200 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 81 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 150 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 112 A 40 V Förbättring DirectFET, HEXFET AEC-Q101