Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2448
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7640S2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
258,28 kr
(exkl. moms)
322,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 12,914 kr | 258,28 kr |
| 40 + | 12,27 kr | 245,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2448
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7640S2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET series has 60V maximum drain source voltage with 20A maximum continuous drain current in a DirectFET Small Can package. The AUIRF7640S2TR/TR1 combines the latest Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET® packaging platform to produce a best in class part for Automotive Class D audio amplifier applications. The DirectFET® package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET® package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.
Advanced Process Technology
Optimized for Class D Audio Amplifier and High Speed Switching Applications
Low Rds(on) for Improved Efficiency
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Lead free, RoHS and Halogen free
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 21 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 375 A 60 V Förbättring DirectFET HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 68 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 55 A 80 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 19 A 200 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 81 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 150 A 20 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 86 A 60 V Förbättring MN HEXFET