Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6

RS-artikelnummer:: 214-9076
Tillv. art.nr:: IPL60R210P6AUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

133,84 kr

(exkl. moms)

167,30 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

2 980 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 20	26,768 kr	133,84 kr
25 - 45	23,296 kr	116,48 kr
50 - 120	21,996 kr	109,98 kr
125 - 245	20,34 kr	101,70 kr
250 +	18,726 kr	93,63 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-9076
Tillv. art.nr:: IPL60R210P6AUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	19.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	CoolMOS P6
	Kapseltyp	VSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	5
	Maximal drain-källresistans Rds	210mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	37nC
	Maximal effektförlust Pd	151W
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	8.1mm
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie CoolMOS P6
	Kapseltyp VSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 5
	Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC
	Maximal effektförlust Pd 151W
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 8.1mm
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPL60R210P6AUMA1

600V CoolMOSªP6 Power Transistor

Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

Summary of Features

Reduced gate charge (Q g)

Higher V th

Good body diode ruggedness

Optimized integrated R g

Improved dv/dt from 50V/ns

CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology

Benefits

Improved effciency especially in light load condition

Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off

Suitable for hard- & soft-switching topologies

Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behavior

High robustness and better efficiency

Outstanding quality & reliability

Potential Applications

PFC stages for server, telecom rectifier, PC silverbox, gaming consoles

PWM stages (TTF, LLC) for server, telecom rectifier, PC silverbox, gaming consoles