Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

92,82 kr

(exkl. moms)

116,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 12 390 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +9,282 kr92,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4377
Tillv. art.nr:
IPD50N06S2L13ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

12.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

136W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.65mm

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Relaterade länkar