Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S2L13ATMA2

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

92,82 kr

(exkl. moms)

116,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 390 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +9,282 kr92,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4377
Tillv. art.nr:
IPD50N06S2L13ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

relaterade länkar