Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 165-5971
Tillv. art.nr:: IPD30N08S2L21ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

18 177,50 kr

(exkl. moms)

22 722,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	7,271 kr	18 177,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5971
Tillv. art.nr:: IPD30N08S2L21ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	30A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	26mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	56nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal effektförlust Pd	136W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.41mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal effektförlust Pd 136W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.41mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 75 V maximal drain-källspänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD30N08S2L21ATMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplingstransistor som är utformad för krävande elektroniska system och ger kontrollerad ledning mellan drain och källa i N-kanal-förbättringslägekonfigurationer. Den är avsedd för ytmonterad montering i kompakta kraftkonstruktioner och för användning där förhöjda drifttemperaturer och fordonsklassad kvalificering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 75 V avtappningsspänning möjliggör robust högspänningsomkoppling
• 30 A kontinuerlig ström med stöd för betydande belastningsöverföring
• 26 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 136 W avledningskapacitet underlättar termisk marginal i konstruktioner
• 56 nC typisk grindladdning som förbättrar omkopplingshastighetskontrollen
• ±20 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivsystem

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlarsteg för fordon
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivna växelriktar-front-end-kretsar
• Kan användas för högeffektiva belastningspunktomvandlare
• Lämplig för strömhantering på kortnivå i fordon

Vilken typ av förpackning bör designers förvänta sig för kretskortslayout?

Enheten levereras i en TO-252-kapsel avsedd för ytmontering, vilket påverkar markmönstret och designen av den termiska plattan.

Hur klarar enheten extrema omgivningsförhållanden?

Den är klassad för att fungera över ett brett temperaturområde från -55 °C upp till 175 °C för att passa miljöer med höga temperaturer.

Vilka grinddrivkretsar krävs för styrkretsar?

Maximal gate-source-klassning är ±20 V

bör gate-drive-kretsar begränsa utflykter inom detta intervall och ta hänsyn till den typiska 56 nC gate-laddningen vid storleksanpassning av drivrutiner.

Finns det specifika termiska prestandabegränsningar att planera för?

Med en maximal effektförlust på 136 W måste värmehanteringen ta hänsyn till ledningsvägar och värmeavledning på kortnivå för att upprätthålla kopplingsgränser.