Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4666
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
194,66 kr
(exkl. moms)
243,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 11 610 enhet(er) levereras från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,977 kr | 194,66 kr |
| 75 - 135 | 12,32 kr | 184,80 kr |
| 150 - 360 | 11,812 kr | 177,18 kr |
| 375 - 735 | 11,289 kr | 169,34 kr |
| 750 + | 10,513 kr | 157,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4666
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal effektförlust Pd | 71W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal effektförlust Pd 71W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD50N06S4L08ATMA2
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i krävande driftsförhållanden. Den är avsedd för tillämpningar som kräver robust ledning, måttlig spänningshantering och drift över ett brett temperaturområde som är typiskt för fordons- och industrimiljöer.
Funktioner och fördelar:
• Låg ledningsresistans på 7,8 mΩ för minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig strömkapacitet på 50 A för omkoppling vid kraftig belastning
• 60 V drain-source-klassning för mellanspänningssystemkompatibilitet
• Maximal effektförlust på 71 W för ökad värmehantering
• Typisk grindladdning 49 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-spänningstolerans upp till 16 V för flexibla drivnivåer
• Hög kontinuerlig strömkapacitet på 50 A för omkoppling vid kraftig belastning
• 60 V drain-source-klassning för mellanspänningssystemkompatibilitet
• Maximal effektförlust på 71 W för ökad värmehantering
• Typisk grindladdning 49 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-spänningstolerans upp till 16 V för flexibla drivnivåer
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i transportsystem
• Används för motordriftsteg som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och kraftstyrning
• Används vid högeffektsomkoppling på ytmonterade enheter
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i transportsystem
• Används för motordriftsteg som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och kraftstyrning
• Används vid högeffektsomkoppling på ytmonterade enheter
I vilket temperaturområde kan den fungera?
Den stöder kontinuerlig drift från -55 °C upp till 175 °C.
Vilken kapsling och monteringsstil använder den?
Komponenten levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering.
Hur många elektriska anslutningar ger den?
Den erbjuder tre stift för grind-, drain- och källanslutningar.
Vilken är den framspänningskarakteristiken under ledning?
Enheten har en framåtvänd spänning på 1.3 V under ledning.
Vilken fordonskvalificeringsnivå uppfyller den?
Den överensstämmer med AEC-Q101-specifikationen för fordonskvalitet.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101