Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9038
- Tillv. art.nr:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
167,22 kr
(exkl. moms)
209,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 16,722 kr | 167,22 kr |
| 20 - 90 | 15,322 kr | 153,22 kr |
| 100 - 240 | 14,134 kr | 141,34 kr |
| 250 - 490 | 13,149 kr | 131,49 kr |
| 500 + | 12,757 kr | 127,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9038
- Tillv. art.nr:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T-produkter finns i högpresterande paket för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. Dessa är robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Den är AEC Q101-kvalificerad för fordon
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101