Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-4375
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 625,00 kr
(exkl. moms)
19 525,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,25 kr | 15 625,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4375
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.65mm | |
| Höjd | 2.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.65mm | ||
Höjd 2.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101