Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 222-4667
Tillv. art.nr:: IPD60N10S4L12ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 962,50 kr

(exkl. moms)

14 952,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,785 kr	11 962,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4667
Tillv. art.nr:: IPD60N10S4L12ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	60A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	12mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	38nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Maximal effektförlust Pd	94W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	2.3mm
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Maximal effektförlust Pd 94W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 2.3mm
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD60N10S4L12ATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 60 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD60N10S4L12ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitch med N-kanal som är utformad för krävande elektroniska effektsteg och fordonsmiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade enheter som kräver robust omkopplingsprestanda och värmehantering.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 60 A kontinuerlig dräneringsström som stöder höga strömbelastningar
• 12 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömförsörjningsbanor
• 94 W effektförlust som förbättrar den termiska hållbarheten under belastning
• 38 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsenergi
• Maximal grindstyrning på 16 V möjliggör flexibla val av grindspänning

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmomvandlare som kräver AEC‐Q101-överensstämmelse
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i transport- och industrisystem
• Används för motordrivningens halvbryggsteg i elfordonsdelsystem
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Används med kompakta ytmonteringsenheter på termiska kretskort

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med höga temperaturer.

Vilka förpacknings- och monteringsöverväganden gäller för värmehantering?

Den levereras i en TO‐252-förpackning för ytmontering som underlättar kretskortsmonterad värmeavledning och standardlödning med omsmältningsanslutning.

Vilka gränsspänningsgränser bör iakttas för att undvika enhetsbelastning?

Den maximala gate-to-source-spänningen är 16 V och gate-drivkretsar bör inte överskrida denna för att förhindra gate-skador.

Vilket kanalledningsläge och vilken typ använder den?

Den använder en N-kanalkonfiguration med förstärkningsläge som är lämplig för switching på låg- och hög-sidan när grindstyrning är lämplig.