Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 962,50 kr

(exkl. moms)

14 952,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,785 kr11 962,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4667
Tillv. art.nr:
IPD60N10S4L12ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

12mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

38nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal effektförlust Pd

94W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.