STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

157,36 kr

(exkl. moms)

196,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
1 - 49157,36 kr
50 - 99153,22 kr
100 - 249149,30 kr
250 +145,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
213-3942
Tillv. art.nr:
SCTL35N65G2V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Kapseltyp

PowerFLAT

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

67mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal effektförlust Pd

417W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

8.1 mm

Höjd

0.95mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar