STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

63,73 kr

(exkl. moms)

79,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 963,73 kr
10 - 299945,02 kr
3000 +43,79 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
762-551
Tillv. art.nr:
ST8L65N050DM9
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PowerFlat HV

Serie

ST8L65N0

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

167W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

107nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

8.1mm

Längd

8.1mm

Höjd

0.95mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics N-kanal Super Junction Power MOSFET är en högeffektiv kraftanordning byggd på Advanced MDmesh M9 super junction-teknik. Den är utformad för tillämpningar med medel till hög spänning där låga ledningsförluster och snabb omkoppling är avgörande.

Mycket låg FOM

Högre dv/dt-kapacitet

Utmärkta omkopplingsegenskaper

100 % avalanche-testade

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.