STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- RS-artikelnummer:
- 358-982
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
31 416,00 kr
(exkl. moms)
39 270,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 10,472 kr | 31 416,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 358-982
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Uteffekt | 125W | |
| Serie | STL160 | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Uteffekt 125W | ||
Serie STL160 | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET, baserad på STripFET F7-teknik, ger exceptionellt låg påslagningsresistans (RDS(on)) för förbättrad effektivitet. Dess design säkerställer minskad kapacitans och grindladdning, vilket möjliggör snabbare och mer effektiv omkoppling med utmärkt EMI-immunitet.
Utmärkt FoM
Lågt Crss by Ciss-förhållande för EMI-immunitet
Hög motståndskraft mot laviner
Logiknivå VGS
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT