STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- RS-artikelnummer:
- 358-982
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
22 341,00 kr
(exkl. moms)
27 927,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 7,447 kr | 22 341,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 358-982
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Uteffekt | 125W | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL160 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Uteffekt 125W | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL160 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, based on STripFET F7 technology, delivers exceptionally low on-state resistance (RDS(on)) for enhanced efficiency. Its design ensures reduced capacitance and gate charge, enabling faster and more efficient switching with excellent EMI immunity.
Excellent FoM
Low Crss by Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
Logic level VGS
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 160 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 167 A 40 V Förbättring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 268 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 144 A 40 V Förbättring PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics Typ N Kanal 125 A 100 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 25 A 600 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 600 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.5 A 600 V Förbättring PowerFLAT
