STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 44 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0
- RS-artikelnummer:
- 762-552
- Tillv. art.nr:
- ST8L65N065DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
58,02 kr
(exkl. moms)
72,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 58,02 kr |
| 10 - 2999 | 46,48 kr |
| 3000 + | 45,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-552
- Tillv. art.nr:
- ST8L65N065DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | ST8L65N0 | |
| Kapseltyp | PowerFlat HV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 223W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie ST8L65N0 | ||
Kapseltyp PowerFlat HV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximal effektförlust Pd 223W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Bredd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Höjd 0.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Super Junction Power MOSFET är en högeffektiv kraftanordning byggd på Advanced MDmesh M9 super junction-teknik. Den är utformad för tillämpningar med medel till hög spänning där låga ledningsförluster och snabb omkoppling är avgörande.
Mycket låg FOM
Högre dv/dt-kapacitet
Utmärkta omkopplingsegenskaper
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V, 5 Ben, PowerFlat HV, M6
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 96 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 203 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V