STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

445 860,00 kr

(exkl. moms)

557 340,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +148,62 kr445 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
213-3941
Tillv. art.nr:
SCTL35N65G2V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Kapseltyp

PowerFLAT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

67mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

417W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

0.95mm

Längd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar