STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

440 985,00 kr

(exkl. moms)

551 232,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +146,995 kr440 985,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
213-3941
Tillv. art.nr:
SCTL35N65G2V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Kapseltyp

PowerFLAT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

67mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Maximal effektförlust Pd

417W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.95mm

Längd

8.1mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics SCTL35N65G2V kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet har utvecklats med hjälp av avancerad och innovativ 2: a generationens SiC MOSFET-teknik, har anmärkningsvärt låg påslagningsresistans per enhet och mycket god omkopplingsprestanda.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Låg kapacitans

Källdetekteringsstift för ökad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.